消息称三星电子泰勒逻辑厂启动光刻机调试，平泽 DRAM 厂下达设备订单

三星半导体加速扩产：泰勒厂光刻机启动调试，平泽P4设备大单确认

当前AI算力需求的爆发式增长，正驱动全球半导体巨头加速产能部署。据韩国《edaily》与《ZDNET Korea》最新报道，三星电子在先进制程与高端存储两大领域的扩产计划已取得实质性进展。其举措清晰表明，公司正全力推进逻辑与内存芯片的产能布局，以应对即将到来的市场需求。

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在先进逻辑芯片领域，三星位于美国德克萨斯州泰勒市的2纳米晶圆厂已进入预运行阶段。根据《edaily》消息，厂内核心的极紫外光刻设备已开始进行调试与校准。与此同时，刻蚀与薄膜沉积等关键制程设备也正陆续进厂安装。这一系列动作显示，该工厂正严格遵循其既定时间表，为在2027年实现大规模量产铺平道路。

在存储芯片方面，三星的扩产步伐同样紧凑。《ZDNET Korea》披露，三星电子已于三月底为平泽P4工厂集群下达了大规模前端设备订单，主要针对PH2与PH4产线阶段。这两条产线的核心任务明确：专攻下一代高带宽内存芯片的生产，具体而言，是采用1c纳米工艺制造用于未来HBM4、HBM4E及HBM5产品的DRAM核心。此举旨在提前锁定未来数年高端存储市场的技术制高点与供给能力。

实际上，平泽P4工厂的产能建设已分阶段有序推进。PH1阶段投资已告完成，PH3产线的设备安装也接近尾声，预计年内可实现每月1.3万至1.4万片晶圆的产能。最新启动的PH4阶段进展较快，计划于今年第二季度开始设备移入；PH2阶段则正处于洁净室建设期，预计十一月启动装机，目标在2027年2月全面投产。这一紧密衔接的产能爬坡路线图，凸显了三星在半导体制造领域的系统性规划与高效执行力。