时间:26-04-08
最近科技圈有个传闻闹得沸沸扬扬,说苹果正考虑在未来的iPhone里采用英特尔芯片。但就在昨天,Mac Observer发布了一篇相当扎实的报道,多位半导体行业的资深人士都直言:这事儿几乎不可能成真。
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整件事的源头要追溯到DigiTimes的一份报道。他们提到苹果正在评估英特尔的18A P工艺,可能用于2027年面世的低端M系列芯片,甚至可能在2028年让非Pro版iPhone用上这个方案。说实话,当我第一次看到这个消息时,确实觉得挺意外的。
更具体的细节来自广发证券分析师Jeff Pu的补充。他透露苹果计划在2028年推出的定制ASIC芯片还会采用英特尔的EMIB封装技术。从这些信息来看,苹果和英特尔之间似乎确实在进行某些技术交流。据我所知,双方已经签署了保密协议,英特尔也交付了18A P设计套件供测试——这个节点特别值得关注,它是英特尔首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的工艺,允许芯片进行垂直堆叠。
但问题就出在这里。SemiWiki论坛的专家们一针见血地指出了核心技术障碍:散热。这让我想起在芯片行业常说的那句话——性能易得,散热难求。
英特尔在18A和14A节点上全面采用了被称为PowerVia的背面供电技术。而台积电就聪明多了,他们采取了更灵活的策略,提供含BSPD和不含BSPD的多种节点供设计者选择。根据我的经验,这种灵活性在移动设备芯片设计中至关重要。
专家IanD的分析非常透彻:在保持相同芯片核心温度的前提下,采用BSPD技术的芯片需要散热器温度降低约20°C才能维持热平衡。这个数字相当惊人,我见过很多散热方案都难以实现这样的温差要求。
究其根本,BSPD结构导致垂直导热性能变差,而且由于缺乏厚硅基板,横向导热能力也大幅削弱。对于依赖空气冷却且机身空间极度受限的iPhone而言,这种热积聚确实是致命的。话说回来,这就像试图在火柴盒里熄灭一场小火——空间太小,热量根本无处可去。
综合来看,英特尔的先进工艺虽然在性能指标上确实有竞争力,但其热力学特性真的不适合智能手机。我个人认为,英特尔或许还有机会争取到散热条件相对宽松的低端M系列芯片订单——比如用在MacBook Air这类对散热要求稍低的设备上。但在解决严重的积热问题之前,iPhone处理器的大门对英特尔来说,恐怕还是要继续紧闭着。