DRAM/NAND价格持续暴涨，AI驱动供需失衡致终端产品全面承压

目前市场上出现的局部内存价格松动，可能让许多消费者产生了观望情绪。

但这一现象并非行业拐点。这是渠道层面的短期波动，而非供需结构的根本逆转。从半导体产业全景来看，驱动DRAM和NAND闪存价格的核心逻辑并未改变：AI算力需求呈现指数级增长，而上游晶圆厂的产能扩张周期漫长且吃紧。这两大存储芯片的价格上行轨道依然稳固。

市场合约价数据足以佐证这一判断。2026年Q1，DRAM合约价实现了接近翻倍的环比增长，涨幅区间达到93%-98%。进入第二季度，在服务器与高带宽内存（HBM）产能优先级提升，以及原厂策略性补涨的共同作用下，预计DRAM合约价将再次录得58%-63%的环比涨幅。

NAND闪存市场遵循相似的轨迹。一季度合约价涨幅为85%-90%，二季度预计仍将维持在70%-75%的高位。这组数据直观反映了存储芯片供给侧的严峻形势与需求侧的持续高热。

一个明确的产业链价值传导路径已经确立：有限的晶圆产能必然向利润更高、算力需求更迫切的AI服务器及数据中心领域倾斜。这直接导致了流向消费电子市场的 wafer allocation（晶圆分配）被压缩，成本压力由此向下游传导。

其影响将广泛波及终端产品线：无论是内存模组、SSD固态硬盘、显卡，还是PC整机、笔记本电脑，乃至智能手机和便携存储设备，所有集成了DRAM或NAND核心元器件的产品，都将持续面临供应缺口与成本上升的压力。这是当前存储市场需要正视的核心现实。