钨退钼进！海力士375层NAND上游赢家：两类美股精选

先说几个核心判断：海力士375层NAND验证落地，将“钨退钼进”这一材料更迭正式推向台前。一个沿用近25年的互连金属，即将走向终结。

但真正的关注焦点，不在存储厂内部，而是那些提供设备与耗材的上游环节。

根据TrendForce的追踪，海力士已完成375层NAND设计验证，量产定于2026年底启动，公司规划将现有产能直接转换。从技术路线图看，芯片中用了近四分之一个世纪的钨，正在被钼全面替代。而这场材料替代背后，供应链中提供工具与材料的环节，确定性反而更高。

钨统治金属布线25年，缩放已逼近其物理极限

三星是首家在金属布线中引入钼的企业，而非海力士。三星早在286层第九代NAND上就已采用钼，该产品于2024年4月量产，目前正将钼扩散至更多工艺步骤。海力士此次在其产品线中首次使用钼，从行业时间线看，属于跟进者而非开创者。

这款375层产品本身也经历过“下修”。根据TheElec报道，海力士内部原规划400层级别，但因高层堆叠的制造复杂度，最终调整为375层。即便如此，这仍是海力士NAND路线图上的关键跃升，而更远的480层与604层，预计将更彻底地转向钼金属化。

钼替代钨并非存储行业独有，但它确实催化了行业级的拐点。现有资料显示，钨作为互连金属在NAND、DRAM及逻辑/代工中段工艺中服役近25年，但随着缩放要求持续加压，钨的物理边界正在被突破。钼成为目前最被看好的替代候选材料。

钼的价值不止于低电阻。与钨和铜不同，钼无需阻挡层即可防扩散，省去工序并提升良率。再加上高熔点与抗氧化特性，支持直接沉积，尤其适配3D NAND与逻辑端GAA等高深宽比结构。换言之，层数越往上堆叠、节点越往下收缩，钨越吃力，钼的渗透空间则随之增大。这正是“卖铲人”逻辑成立的基础——替代一旦铺开，设备与材料供应商自然受益。

Lam Research：唯一切入量产ALD钼工具的卖铲人

这条链路上，叙事最直接、逻辑最硬的标的是Lam Research。2025年2月，该公司推出ALTUS Halo，声称是业界首款量产级钼原子层沉积工具，多数场景下电阻较传统钨金属化改善超过50%。Lam透露，早期采用已在韩国与新加坡的高产能3D NAND工厂以及先进逻辑工厂展开——韩国对应三星与海力士，新加坡对应美光。

这笔生意的弹性隐藏在工序的复杂化里。据Zacks研究，Lam目前是唯一一家已有ALD钼工具投入量产的供应商，覆盖代工与NAND客户。钼沉积虽然更慢、更复杂，却使Lam在先进节点上的单晶圆金属沉积可服务市场扩大至三倍。工艺变难，对设备商反而是增量。

Entegris主攻耗材，美光是美股唯一纯存储标的

应用材料选择了差异化路径。今年2月，其推出Spectral ALD系统，用钼取代当前晶体管接触中的钨，在晶体管与铜布线网络之间的关键连接处降低电阻，目前已获多家领先逻辑代工厂采用。需要明确区分的是：Lam的钼叙事偏重NAND/DRAM字线，AMAT的钼叙事偏重2nm GAA逻辑接触，两者下游不同，不能简单归入同一受益逻辑。

材料端的代表是Entegris。该公司供应钼的固态前驱体二氯二氧化钼，专为DRAM与3D NAND定制，并配套ProE-Vap输送系统。其受益逻辑在于材料切换引发的连锁效应。据Entegris披露，从铜和钨转向钼这一变化，将波及前驱体选择、抛光垫设计、研磨液配方、刻蚀材料与过滤等多个环节。工艺更分散，但贯穿多道工序。

至于存储厂本身，三星与海力士均不在美股主板，美光是美股中唯一的纯正存储标的，且在钼应用上抢占了身位。Lam援引美光NAND开发副总裁Mark Kiehlbauch的说法，称钼金属化让美光在最新一代NAND产品上率先实现业界领先的I/O带宽与存储容量。不过，美光是“用钼的人”而非“卖钼受益的人”，其股价驱动力主要来自存储周期与HBM，钼只是性能加分项。

钼矿商看似沾边，但半导体需求体量微乎其微

理论上，钼金属矿商也算这条叙事的边缘受益者，美股可对应Freeport-McMoRan。但半导体的钼用量级实在太小。根据TheElec及行业估算，三星去年采购约4吨钼，今年约10吨，海力士起步约4吨，全行业到2030年预计也仅80吨级别。相对于以钢铁合金为主、年消耗量数十万吨计的全球钼市场，半导体需求只是零头。将矿商股价绑定到NAND叙事上，因果链很难站住脚。

这也划定了“钨退钼进”故事的真实落点：海力士375层只是起点，真正的射程横跨NAND、DRAM与材料三大品类。在这场金属换代中，设备与耗材环节的确定性更高，用钼的存储厂是性能受益方而非估值受益方，金属矿端则基本沾不上光。