AI算力建设需求爆发催生存储长周期涨价潮，HBM投片比重持续提升

6月16日最新发布的银河证券电子行业2026年中期策略报告，明确锁定一条主线：AI算力基础设施需求的急速膨胀，正驱动存储芯片进入一轮长周期涨价通道，而HBM（高带宽存储器）的投片占比还将持续走高。简言之，算力军备竞赛升级，让存储芯片成了当前最紧俏的核心环节。

数据是最好的佐证。随着NVIDIA新一代Rubin Ultra平台即将登场，单颗GPU所配备的HBM容量将直接跃升至384GB——这并非渐进式提升，而是数量级的跨越。与此同时，AI ASIC（专用集成电路）的出货量也在稳步放量，进一步引爆HBM需求。据TrendForce预测，HBM投片量占整体DRAM投片的比例，将从2025年的18%一路攀升至2027年的30%左右；HBM位元供给占比亦将从8%提升至约13%。这两组数字背后，折射出存储产业正在经历的深层结构性重构。

更值得关注的是，端侧AI技术的爆发式增长，正催生出一条全新的技术路径——3D堆叠DRAM方案。传统存储瓶颈在端侧推理场景中愈发突出，而3D堆叠技术恰恰能突破这一瓶颈，成为未来关键的技术演进方向。

整体来看，这份策略报告释放的信号清晰有力：存储行业的长周期涨价逻辑已经确立，而HBM作为AI计算的核心配套，其产能占比的持续提升是最具确定性的方向之一。对于产业链各环节参与者而言，这既是机遇窗口，也要求必须加快技术迭代与产能布局的节奏。