SK海力士12层HBM4E样品交付，AI内存性能再突破

本周四，SK海力士正式宣布，已向核心客户交付新一代AI专用DRAM——12层堆叠的HBM4E样品。此举进一步巩固了SK海力士在高速增长的AI芯片市场中不可撼动的龙头地位。

SK海力士在官方声明中指出：
“依托公司在HBM领域积累的先进研发体系与量产能力，我们如期交付了12层HBM4E样品……接下来将与生态伙伴紧密协同，确保顺利推进大规模量产节奏。”

消息落地后，市场反馈极为迅速。周四，SK海力士股价在韩国股市强势拉升4.17%，而主要竞争对手三星电子仅微涨0.87%。自年初以来，SK海力士股价累计涨幅已达287%，资本对AI存储赛道的热度可见一斑。

目前，SK海力士已是英伟达最大的HBM供应商，三星与美光则在后方紧追不舍，三强争霸的竞争格局已然成型。

此次亮相的HBM4E，最值得关注的核心突破在于：相比上一代HBM4（第六代），在运算性能与功耗效率两大关键维度上实现了同步大幅跃升。这才是真正意义上的代际跨越。

先看具体数据。SK海力士透露，这款12层HBM4E每引脚最大数据处理速度达到16Gbps，能效较前代提升超过20%。这意味着在AI训练与推理场景中，数据吞吐能力将迎来质的飞跃。

同时，通过最新的接口设计与电路优化，新内存在降低数据传输延迟的同时，仍能在高带宽环境下保持稳定运行。对于构建超大规模AI数据中心与高性能计算系统而言，这无疑是底层硬件的关键支撑。

回到产品技术本身。SK海力士采用先进的MR-MUF1工艺制造HBM4E，在12层堆叠结构中实现48GB容量，并确保结构稳定性。简言之，MR-MUF是一种大体积回流模压填充技术，通过在芯片间注入液态保护材料来密封电路，这对极高密度的堆叠结构至关重要。

值得关注的是，与上一代HBM4相比，新款HBM4E的耐热性能提升了17%。在高性能计算环境中，散热始终是痛点，这一改进直接有助于保障存储芯片的长期稳定运行。

SK海力士总裁兼首席开发官Ahn Hyun在总结中表示：

“凭借领先市场的技术实力与制造经验，SK海力士已奠定坚实基础，进一步巩固在人工智能领域的领导地位。通过与合作伙伴的紧密协作，我们将持续为市场提供所需价值，同时强化作为全栈AI内存解决方案提供商的技术领导力。”