车规级MRAM排行榜：三星5nm全球首款2027量产

在存储器赛道，三星电子近期投下一枚重磅技术炸弹。6月18日，IEEE VLSI研讨会上，三星首次公开其自主研发的5纳米磁性随机存取存储器（MRAM）技术。这颗芯片堪称全球首款达到5纳米工艺节点的MRAM产品。

对比当前主流的DRAM（动态随机存取存储器），MRAM在读写速度、器件寿命、大规模制造适配性三个维度上拉开显著差距。尤其突出的是，工作功耗比传统DRAM低一个数量级，同时具备非易失性——即便断电，数据也能长期稳定驻留。这一特性在车规级应用场景中极具价值。

具体到这款5纳米芯片，它支持-40℃到150℃的宽温工作范围，几乎覆盖汽车电子可能遭遇的全部极端温度工况。更重要的是，该芯片已通过AEC-Q100车规级可靠性认证。按三星官方路线图，2027年进入量产阶段。

值得留意的是，2025年初三星在一场学术活动中展示了基于8纳米工艺的MRAM技术，随后基于该节点的边缘AI芯片于5月完成流片。从8纳米跨越到5纳米，节奏明显提速。这种迭代速度表明，三星在新型存储器方向的研发正在持续加码。