汉骅半导体八寸Micro-LED量产，近眼显示市场迎中国芯突破

Micro-LED作为近眼显示领域的终极技术路线，行业对此已形成高度共识。真正的挑战在于：谁能率先将其从实验室样品推进至消费级规模化量产？苏州汉骅半导体近日给出了强有力的答案。

汉骅半导体正式宣布，其自主研发的“8寸全色硅基氮化镓Micro-LED标准工艺平台”已建成并面向市场开放代工服务。这意味着从外延生长、无损去硅到CMOS集成的全流程工艺链路全面打通。业内评价称，这是Micro-LED产业化进程中不可忽视的关键节点。更值得关注的是，该方案有望将AR/VR核心器件成本降低约30%，推动近眼显示技术加速走向大众市场。

万亿级市场的“卡脖子”挑战

据IDC预测，2026年全球AR/VR领域相关投资支出将攀升至509亿美元，而到2029年，全球智能眼镜出货量有望突破4000万台。行业共识是，一旦Micro-LED等底层技术实现成熟落地，近眼显示将催生一个万亿美元量级的产业生态。

理想虽美好，现实却严峻。Micro-LED的量产之路上，三道核心工艺难题横亘其间：大尺寸硅基氮化镓外延的均匀性不足；氮化镓薄膜与CMOS驱动芯片的高效集成难以实现；全彩化键合精度要求极苛刻。

“过去几年，不少企业早已拿出Micro-LED样品，但能够实现稳定量产且满足消费级成本的产品，极为罕见。”一位显示行业分析师指出，“症结不在于设计，而在于工艺——如何将微米级发光单元无损转移至CMOS背板，同时确保每一颗像素亮度均匀，这才是真正的‘卡脖子’环节。”

三大核心技术突破

汉骅半导体此次推出的8寸标准工艺平台，其核心竞争力来自三项自主研发技术。

晶圆级无损去硅

在8寸晶圆尺度上实现氮化镓薄膜的完整剥离，同时保持晶格完整性与发光效率。这为后续与CMOS晶圆级键合，提供了高质量“薄膜引擎”。

超高精度混合键合

2025年已实现3.75微米间距的混合键合量产，键合成品率超过95%。当前正推进2.5微米工艺研发，未来可支撑2560 PPI以上超高清微显示应用。

多层堆叠全彩

基于3DIC架构，将红、绿、蓝三色Micro-LED外延晶圆通过混合键合垂直堆叠。该方案直接规避了传统巨量转移方案效率低、良率差的固有痛点。

目前，该平台已实现微米级乃至亚微米级发光单元阵列。更关键之处在于，整套工艺流程与主流8寸CMOS产线高度兼容，可直接利用现有半导体代工厂的成熟设备，显著降低产线投资门槛。

降本、自主与开放生态

成本，是AR眼镜从极客玩具走向大众消费品所需的最后一道门槛。当前，一套高亮度Micro-LED微显示模组成本约在200-300美元，占整机BOM的30%以上。若汉骅平台能实现规模化代工并与CMOS产线协同，预计可将模组成本压至100-150美元，带动整机售价从1500美元降至800美元以内。

与此同时，汉骅的技术突破也意味着国产Micro-LED供应链自主可控能力的提升。此前，高端氮化镓外延片、精密键合设备及工艺多依赖海外供应。汉骅已建成国内首条8英寸常温晶圆级异质集成量产线，具备从外延设计到代工交付的一站式服务能力，可有效帮助下游企业规避技术“断供”风险。

值得重点关注的是，汉骅此次同时宣布开放代工服务，提供类似半导体PDK的标准化接口。合作伙伴可根据需求定制外延结构、像素阵列及键合方案。公司已与多家头部CMOS代工厂、面板厂商开展联合开发，面向AR/VR、车载HUD、工业头显等场景提供微显示解决方案。汉骅半导体董事长袁义倥表示，开放平台的核心逻辑在于——降低Micro-LED技术的使用门槛，让更多设计公司和系统厂商能够加入，共同做大市场。

挑战与前景

技术突破令人振奋，但Micro-LED的全面普及仍有硬仗需要攻克。红光氮化镓外延效率偏低，全彩堆叠带来的光学串扰问题尚待优化，纳米级发光单元制备工艺也仍在探索阶段。从产业规律来看，这些问题并非短期内能够解决。据汉骅半导体透露，下一步将持续向更高PPI、更小像素尺寸演进，并探索“多波长外延+色转换”的混合全色方案。预计2026-2027年，将有多款基于该平台的消费级AR眼镜面世。

从材料定义性能，到平台定义产业——汉骅半导体的8寸Micro-LED标准工艺平台，正为中国在“后摩尔时代”的异质异构集成领域，抢下一张关键入场券。万亿级近眼显示市场的浪潮，或许就从这片8寸晶圆上，开始奔涌。