三星电子：HBM5 与 HBM5E 将分别升级基础裸片与 DRAM 的制程

三星电子公布HBM技术路线图：HBM5与HBM5E将分别升级基础裸片与DRAM制程

在刚刚落幕的GTC 2026大会上，三星电子存储器开发副总裁황상준透露了下一代HBM内存的技术规划。根据他的现场发言，三星将在HBM5和HBM5E这两个世代对核心组件进行分步升级——基础逻辑裸片和DRAM裸片将分别采用新制程。而即将到来的HBM4E，则会延续HBM4的制程方案。

具体技术路线已经清晰：

• HBM4：基础裸片4nm，DRAM采用1c nm工艺
• HBM4E：基础裸片保持4nm，DRAM延续1c nm
• HBM5：基础裸片升级至2nm，DRAM仍为1c nm
• HBM5E：基础裸片维持2nm，DRAM则首次采用1d nm工艺

值得注意的是，황상준特别强调HBM4在三星整体战略中的核心地位。这家存储巨头显然有着更大的野心——目标是在HBM4市场拿下超过50%的份额。与此同时，三星还计划大幅提速HBM产品的开发节奏，意图与英伟达保持同步，实现一年一迭代的更新频率。

这种技术路线和开发节奏的调整，无疑将为未来的高性能计算市场带来新的变数。随着AI芯片对内存带宽需求的持续攀升，HBM技术的竞争已经进入白热化阶段。