消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产

三星电子西安NAND工厂正式开启V8 NAND规模化量产

3月29日，ETNEWS等行业媒体确认，三星电子西安晶圆厂已完成产线升级，成功启动236层第八代V-NAND闪存的规模化生产。这一技术迭代标志着三星3D NAND闪存堆叠层数达到新的行业高度。

作为三星全球NAND生产网络的核心支柱，西安工厂自2024年起便启动了从128层V6到236层V8 NAND的产线改造工程。此次升级旨在显著提升单颗芯片的存储密度与数据传输速度，以精准匹配AI计算、高性能数据中心对存储带宽与容量的刚性需求，强化产能与技术交付能力。

在确立V8 NAND量产能力后，三星西安工厂的技术路线图已明确指向下一代方案。规划显示，采用286层堆叠的V9 NAND技术将导入X2工厂产线，目前技术转移与产线适配工作有序推进，预计将于2026年实现量产。闪存技术的层数竞赛正持续驱动存储性能与成本效益的突破。