DRAM与NAND价格持续暴涨，终端存储产品全面紧缺涨价

内存价格短期波动？这恰恰是入局信号

近期部分内存渠道价出现松动，引发市场观望情绪。但资深从业者都明白，这仅是局部库存的战术调整，绝非趋势逆转。

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必须指出，当前波动是结构性牛市中的短暂插曲。在AI算力需求指数级增长与上游晶圆产能刚性约束的双重作用下，存储市场的基本面依然强劲。

DRAM与NAND作为核心存储介质，其供需格局在可预见的周期内将持续紧张，价格上行通道保持完整。

合约价数据揭示硬核趋势

行业追踪数据显示，2026年Q1季度DRAM合约价涨幅已触及93%-98%区间，呈现近乎翻倍的走势。这轮涨势由服务器与HBM需求主导，且尚未见顶。

进入Q2，在原厂坚定执行补涨策略及需求结构持续高移的推动下，DRAM合约价预期环比增幅仍将维持在58%-63%的高位。NAND闪存市场同步跟涨，一季度涨幅达85%-90%，二季度预期增幅也在70%-75%范围。两大存储引擎同步发力，确认了涨价周期的延续性。

产业链传导：从晶圆到终端全面吃紧

当前的供应短缺是系统性的。上游晶圆厂的产能分配已深度向AI及高性能计算倾斜，导致消费级芯片供给被结构性挤压。

这种传导效应清晰可见：无论是内存条、固态硬盘、显卡等核心部件，还是整机、智能手机乃至移动存储设备，所有依赖DRAM/NAND的电子产品均面临交期延长与成本上升的压力。全产业链的供应紧张已成为新常态，终端产品价格体系正在重塑。