三星2nm工艺良率提升至60%，距量产目标再进一步

三星2nm制程良率突破60%关键节点，量产进程加速

三星电子在2nm GAA制程技术上取得实质性突破，当前良品率已稳定攀升至60%以上。这一里程碑式进展，标志着该工艺已越过大规模量产的核心门槛。产业分析师预计，按照现有技术爬坡曲线，三星有望在2026年下半年实现70%以上良率的量产目标。对比初期试产阶段仅20%的良率水平，其工艺成熟度的提升速度远超行业预期。

市场观察显示，2026年正成为三星晶圆代工业务的关键战略转折期。目前，其2nm节点的工艺验证与客户流片进展顺利，量产时间窗已明确锚定在下半年。除已确认的特斯拉自动驾驶芯片订单外，三星正与多家北美及中国的高性能计算、人工智能芯片客户进行深度合作洽谈。机构预测，仅本年度其2nm工艺的晶圆订单量将实现超过30%的同比增长。

需要指出的是，三星在先进制程竞赛中曾面临持续挑战。自3nm节点率先导入GAA晶体管架构以来，良率波动问题一度影响其客户交付稳定性，导致部分高端订单流向竞争对手。相比之下，台积电在2nm纳米片架构的研发上展现出更强的工艺控制能力，其2024年底风险试产良率已突破60%。这一竞争态势要求三星必须在工艺整合与缺陷密度控制上持续投入。

根据三星代工业务的中长期战略规划，公司目标在两年内实现该业务线的全面盈利，并夺取全球20%的市场份额。2nm制程的量产进度与客户导入规模，将成为影响这一战略目标达成的决定性变量，亦将重塑全球先进制程的竞争格局。