太空AI任务首选：抗辐射NAND闪存性能实测对比，效能提升30倍

美国佐治亚理工学院近期公布的一项研究，为太空计算硬件带来了关键突破。其研发的新型NAND闪存，在保持高效AI任务处理能力的同时，将抗辐射性能提升至传统闪存的30倍，为深空探测与在轨智能计算提供了可行的存储解决方案。这项研究已发表于权威期刊《纳米快报》。

该技术的核心突破在于材料创新。研究团队利用了氧化铪的铁电特性——这种材料在特定温度下能自发形成稳定的电极化状态，且极化方向可通过外部电场快速切换。这一物理特性使其成为非易失性存储、高灵敏度传感以及低功耗神经形态计算芯片的理想候选材料，为下一代高可靠电子器件奠定了物理基础。

实际辐射测试数据验证了其卓越的可靠性：这款铁电闪存可承受高达100万拉德的累积辐射剂量。这一数值相当于接受上亿次标准医疗X射线照射，其辐射容错能力较当前主流商用存储器实现了30倍的量级提升。