纳微半导体暴涨24% 英伟达押注800V AI电源革命

2026-06-04阅读 0热度 0

半导体

纳微半导体盘前飙升，AI电力基础设施赛道迎来重磅选手

半导体行业近期出现一个值得关注的信号——纳微半导体股价在盘前交易中大幅拉升，成为AI基础设施投资热潮中的新受益者。消息源自公司宣布与英伟达MGX生态系统达成合作，共同推进800 VDC人工智能基础设施建设。

具体来看，5月29日，纳微半导体在英伟达于中国台北南港展览中心举办的合作伙伴典礼上亮相，并在COMPUTEX 2026展会现场公开展示其800 V至6 V直流-直流电源分配板（PDB）。该产品专为AI数据中心800 VDC机架架构设计，旨在提升系统效率和功率密度。

公司CEO Chris Allexandre直言不讳：AI工作负载持续扩张背景下，电力传输已成为构建下一代吉瓦级AI工厂最棘手的技术瓶颈之一。

消息发布后，纳微半导体股价盘前涨幅超过22%。过去一年该股累计上涨335%，年初至今涨幅达262%，当前市值约62.1亿美元。

纳微半导体此次展出的800 V至6 V电源分配板，是其融入英伟达MGX生态系统的核心产品。

该产品的关键亮点在于——直接移除计算服务器托盘内传统的48 V中间总线转换器（IBC）环节。去掉这一层中间转换后，系统效率与可靠性得到双重提升，同时释放出宝贵的机箱空间。

从技术参数看，这块电源分配板集成16颗GaNFast场效应管，额定电压650 V，导通电阻11毫欧，采用最新的DFN8×8双面散热封装。目标峰值效率达97.5%，工作开关频率1 MHz，功率密度高达2100 W/in³。

更值得关注的是，该板的厚度比手机薄约20%。超薄外形设计使其能够与GPU板实现极近距离集成，从而最大化瞬态性能并提升配电效率。

纳微半导体此次展示的不仅是一块板子，而是一套覆盖AI工厂全链路供电需求的宽禁带（WBG）半导体技术组合。

在碳化硅（SiC）产品线中，GeneSiC方案支持从电网到AI计算机架的高效电力传输。具体产品包括采用2300 V和3300 V SiC功率模块的固态变压器，以及基于第五代技术1200 V SiC MOSFET的高功率三相电源供应单元。

在氮化镓（GaN）方向，GaNFast技术凭借MHz频率运行能力、更高功率密度和更快的瞬态响应，支撑从机架级到GPU的直接电力传输。截至目前，公司已累计拥有逾300项已授权或待审专利。

纳微半导体近期股价的强劲走势，部分得益于基本面边际改善。

公司此前公布2026财年第一季度营收860万美元，超出市场预期的818万美元。但每股亏损为0.15美元，明显低于预期的亏损0.05美元。

与此同时，公司近期完成一笔1.22亿美元的按市价发行股票融资，并与Craig-Hallum Capital Group LLC及瑞银证券签署销售协议，最高可发行1.25亿美元A类普通股。募集资金预计用于支持高功率市场及AI基础设施领域的战略布局。

需要警惕的是，分析师指出，在股价年内大幅攀升的背景下，该股相对其公允价值估算存在高估风险。换句话说，市场已将不少利好提前透支。