宏芯宇HG2325 UFS 2.2主控芯片22nm制程性能评测

COMPUTEX 2026 展会上，存储半导体模组厂宏芯宇（HOSINGLOBAL）正式发布了自研 UFS 2.2 嵌入式闪存主控芯片 HG2325。这颗芯片的推出，让国产存储主控阵营又多了一位实力派选手。

HG2325 基于 22nm 成熟制程，内置大容量 SRAM 缓存，并搭载自研 4KB LDPC 硬件纠错引擎。这套方案能稳定适配主流的 3D TLC 与 QLC NAND 闪存，闪存接口速率达到 1600MT/s。在 UFS 2.2 定位下，这一性能水准相当能打。

兼容性方面，芯片覆盖高通、联发科技、紫光展锐等主流 SoC 平台，容量规格从 64GB 一路覆盖到 1TB。以 512GB 版本为例：顺序读取 1060MB/s，顺序写入 975MB/s。在 UFS 2.2 领域，这个成绩已经非常突出。

除主控芯片外，宏芯宇还在台北国际电脑展上展出了 PCIe Gen5 x4 eSSD、DDR5-5600 RDIMM，以及车规级嵌入式闪存与固态硬盘。从消费级到车规级的产品线布局，战略意图清晰可见。