SK海力士375层3D NAND量产测评：钼材料突破工艺瓶颈

SK hynix的375层NAND闪存已完成验证。按计划，2026年底前将在现有工厂实现量产。这些工厂目前主要生产321层V9系列，后续将通过工艺转换调整生产线，支持更高堆叠方案。

NAND堆叠层数的竞赛中，SK hynix与三星直接交锋。三星计划采用双堆叠方案将V-NAND推至400层以上，已展示指向900层乃至1000层的路线图。SK hynix则以375层作为阶段性量产节点切入。

最初SK hynix将此代产品定位于400层级。开发中，高堆叠层数带来的工艺与信号传输挑战迫使设计修正至375层。行业人士透露，虽然400层级已下调，后续路线图仍延伸至480层、604层。

要冲刺480层、604层，现有材料体系已现瓶颈。报道指出，SK hynix需逐步以钼替代钨薄膜作为互连材料，以应对高层数堆叠引发的电阻和信号完整性挑战。

逻辑在于，3D NAND垂直导线与通道尺寸缩小后，钨电阻失控导致信号损耗与延迟，成为堆叠层数的材料天花板。钼在更窄布线条件下导通特性更优，被行业视为突破高层堆叠的关键材料。

事实上，三星已在部分NAND工艺中导入钼，并计划今年优化V-NAND流程，推出首批400层级产品以巩固高端市场地位。SK hynix则将在跟进更高层数产品时完成钨钼切换，缩小技术差距。

AI、云计算、高性能终端与企业级数据中心对存储容量与性能的需求持续扩大。提升3D NAND层数是提高单芯片比特密度、降低单位成本的关键。但这需要晶圆厂投入巨资采购新材料、升级设备、转换产线。

以钼为例，其需求量已显著增长，成为NAND供应链重要角色。报道显示，三星去年采购约4吨钼，今年至今增至约10吨。随着SK hynix等导入，预计今年用量约4吨。

产业机构预测，400层级以上NAND量产后，钼需求将快速攀升：2027年25吨，2028年40吨，2029年60吨，2030年约80吨。材料供应、成本控制与技术迭代将决定高层堆叠时代的竞争格局。

对SK hynix而言，375层NAND量产是工艺能力的阶段性验证，更是向480层、604层演进的跳板。在良率与成本间寻找平衡，并顺利完成钨钼迁移，将直接决定其与三星等对手的角逐位置。