SK海力士DRAM扩产细节：2031年月产能达100万片

SK海力士AI内存扩产路线图详解

在刚结束的Computex Taipei展会上，SK集团会长崔泰源抛出一个关键预判：由AI驱动的高带宽内存（HBM）与DRAM短缺，将延续至2030年。这意味着什么？SK海力士计划未来五年内将DRAM晶圆产能翻倍。随后，韩媒The Elec曝光了这家存储巨头详尽的产能扩张路线图。

据接近供应链的消息人士透露，SK海力士采购团队与龙仁半导体集群管理层，近两个月持续向核心供应商通报一项激进扩产方案——目标在2030至2031年间，把DRAM晶圆月产能提升近一倍。

SK海力士龙仁晶圆厂产能规划

具体数字：月产能将从当前约55万片拉升至约100万片。注意，这55万片已包含SK海力士中国无锡工厂的约20万片月产能。新增产能主力落在龙仁半导体产业集群。

龙仁首座晶圆厂规划了六间洁净室。按计划，2027年2月首间洁净室（一期）启动设备搬入，先增加6万片月产能。此后每六个月启用一间新洁净室，每次再增6万片。依此节奏，到2030年上半年，仅龙仁首厂就能贡献36万片月产能。

关键变动是：SK海力士今年2月披露时，已将首批设备入驻时间从2027年5月提前至2027年2月。此次首次详细公开每间洁净室的产出规模、产品类型及扩建时间节点。所有新增产能全部用于DRAM；至于NAND闪存，公司重点放在技术迭代——例如提升3D NAND堆叠层数。

除龙仁外，清州M15X晶圆厂也在扩建。M15X计划今年下半年投产，初始月产能4万片，预计2027年达到约8万片。加上龙仁的36万片，到2030-2031年，SK海力士DRAM月产能确有望冲击100万片大关。

一位半导体设备行业高管评价：“一种解读是，他们在告诉供应商：必须为快速大规模扩产做好准备。”

这套计划与崔泰源在Computex上的表态高度一致——当时他明确表示公司将在五年内“全力将晶圆总产能提高一倍”。

不过，供应商并未盲目乐观。毕竟2022年有过教训：SK海力士曾向供应商公布下一年资本支出指引，结果当年秋季大幅削减设备订单，导致部分按指引采购零部件的供应商现金流吃紧。业内人士还指出，每六个月完成一间洁净室建设的节奏极为紧张——只要一种设备交付延迟，整张进度表就可能崩盘。

一位供应商负责人坦言：“短期投资肯定增加，对设备和材料商是利好。但路线图能否全面落地，最终取决于市场需求能否承接。”

尽管如此，业内普遍认为这次扩产计划比以往更具分量。原因很简单——集团董事长亲自在公开场合阐述了更宏大的愿景。在Computex上，崔泰源还提到：“价格突然飙升或急剧上涨会损害整体可持续性，整个生态系统需要更高的可持续性。”言下之意明确：公司将持续扩大产能，不会因短期价格波动而缩手缩脚。

英伟达CEO黄仁勋在SK海力士DRAM晶圆上的留言

值得一提的是，英伟达CEO黄仁勋在Computex期间，曾在SK海力士的DRAM晶圆上写下“请多生产一些”。但这张扩产路线图在黄仁勋留言前就已敲定——它只是进一步佐证了AI内存需求有多疯狂。