美光确认 HBM4E 基于 1γ DRAM，未来 1δ 工艺将使用最新 EUV 光刻设备

美光披露 HBM4E 技术路线：基于1γ DRAM工艺，下一代1δ节点将引入先进EUV光刻

在FY2026第二财季电话会议上，美光确认了其下一代高带宽内存HBM4E的开发进度。该产品计划于2027年投入量产，其技术核心在于首次采用1γ工艺节点制造DRAM芯片。1γ作为美光第六代10纳米级制程，标志着HBM产品线将实现一次关键的工艺迭代，预计将在能效与密度上带来显著提升。

技术蓝图演进：第七代1δ工艺将大规模应用新一代EUV光刻

美光同步更新了其DRAM技术路线图。在1γ节点之后，公司将推进至第七代10纳米级工艺，即1δ节点。此阶段的技术突破将高度依赖于极紫外光刻技术的深度应用。美光已明确规划，将为1δ工艺导入最新型的高数值孔径EUV光刻设备。此举旨在突破现有光刻技术的分辨率极限，在维持现有产线空间的前提下，实现更精密的电路图案和更高的晶圆产能。

合作模式升级：从长期协议转向绑定产能的战略客户协议

为适应市场变化，美光正调整其客户合作框架。公司正逐步从传统的长期供货协议，转向更具约束力的战略客户协议。这种新模式的核心在于，它包含了多年期的具体产能锁定与采购承诺，为合作双方提供了更强的供应链确定性。目前，美光已签署了首份为期五年的SCA协议。这种深度绑定的模式不仅保障了美光未来的产能利用率与营收能见度，也确保了其核心客户在关键部件供应上的长期稳定与优先权。

市场趋势与资本策略：供需格局变化下的前瞻性投资

对于存储市场的中期展望，美光提出了审慎的分析。公司预计，到2026年，全球DRAM与NAND闪存的比特供应量年增长率将接近20%。然而，主要传统驱动领域——个人电脑与智能手机的出货量，预计可能出现个位数的年度回调。面对这种供应增长与局部需求分化的态势，行业竞争将更侧重于技术领先性与成本控制。为此，美光已上调本财年资本支出，资金将重点投向新晶圆厂的关键设施建设与先进洁净室配套，以巩固其在下一轮技术周期中的产能与技术优势。