消息称三星电子 SF1.0 工艺采用 forksheet 器件结构，目标 2030 年前开发

三星电子设定SF1.0工艺路线图：采用Forksheet结构，目标2030年前实现1nm量产

据《韩国经济日报》3月31日引述产业内部信息，三星电子晶圆代工部门已明确其下一代制程技术的开发蓝图：计划在2030年前完成1纳米级别先进工艺SF1.0的研发并导入量产阶段。此举标志着三星正全力推进其最尖端半导体制造技术的布局。

该SF1.0工艺的核心突破在于采用了“Forksheet”（叉片）晶体管架构。这一设计是现有纳米片全环绕栅极结构的演进，通过在晶体管单元之间引入一道介质隔离墙，实现了更有效的电气隔离。该结构调整直接提升了晶体管密度与整体性能表现。

当前Forksheet技术主要存在两种实现路径：“内壁”型设计将介质墙置于n型与p型晶体管之间；而“外壁”型则将介质墙设于p-n结外侧。这两种架构的具体优化选择与整合方案，将成为技术工程团队面临的关键决策点。

在推进SF1.0工艺之前，三星已规划了明确的阶段性目标。根据路线图，公司计划于2027年实现SF2P+工艺的量产商用。此外，特斯拉的下一代AI芯片AI6已确认将采用三星的SF2T工艺，并同步规划在2027年投产。这一合作既验证了三星先进制程的竞争力，也预示着高端芯片制造领域的技术角逐将持续加剧。实现从2纳米到1纳米的演进需克服多重物理与工程极限，三星能否按计划达成这一技术里程碑，将持续受到产业关注。