增产缓慢 内存持续短缺

产能扩张滞后 内存供应缺口持续扩大

今年，在HBM产能竞赛中，SK海力士的清州工厂于2月率先实现量产，成为唯一跑在前列的厂商。其他主要制造商则处于不同阶段：或仍在评估市场，或正处于厂房建设与设备导入期。他们的新增产能预计要到2027年末甚至2028年才能上线。

免费影视、动漫、音乐、游戏、小说资源长期稳定更新！ 👉 点此立即查看 👈

全球DRAM市场呈现高度集中的格局，三星、SK海力士和美光三大巨头合计占据近90%的市场份额。目前，具备HBM芯片量产能力的也仅限于这三家。

核心矛盾由此产生。为争夺AI浪潮下的HBM市场主导权，巨头们将核心资源与产线优先配置给HBM生产，这直接侵蚀了标准DRAM的可用产能。自去年第四季度起，内存供应短缺态势不断加剧。本季度内存合约价环比暴涨约90%，引发连锁市场反应：预计到年中，内存采购成本占智能手机制造成本的比例将从20%激增至40%。成本压力可能导致智能手机市场规模收缩13%。此外，短缺正蔓延至汽车电子等更多关键领域。

行业分析指出，要实质性缓解供应紧张，半导体行业需在2027年前实现12%的产能增长。然而，基于已公布的扩产计划，新增产能仅能达到7.5%。各厂商具体进展如下：

SK海力士是扩产最为积极的厂商，正加速推进龙仁半导体集群的建设。其首座洁净室预计于2027年2月投入运营，较原计划提前三个月。

（此为效果图，实际建设进度如下图所示）

美光位于爱达荷州和新加坡的新工厂最快将于明年下半年投产，对于缓解当前紧迫的供应危机而言，时间上存在明显滞后。

三星电子平泽第四工厂有望在今年内完成建设，但量产时间点定在2027年。该工厂并非DRAM专用产线，其逻辑芯片的生产任务将进一步稀释可用于内存的产能。而规划主要生产HBM的平泽第五工厂尚处于地基施工阶段，最快2028年才能实现量产。

由于实质性新增产能需待明年下半年起逐步释放，DRAM的产能增长率预计仅能覆盖约60%的市场需求。这意味着供应紧张局面很可能贯穿整个2027年。SK海力士给出了更为严峻的预测，认为短缺周期可能延续至2030年。由结构性供需失衡引发的市场波动，预计将成为未来数年的常态。

厂商扩产态度审慎的背后，是行业的历史教训。疫情后IT需求泡沫破裂导致多家半导体巨头录得巨额亏损，其中铠侠创下历史最大亏损纪录，美光与SK海力士也深受影响。这场行业“寒冬”使得资本支出决策趋于保守。作为受冲击最严重的厂商之一，铠侠对其第三座生产设施的投建决策尤为犹豫。其新任总裁大田裕雄的发言颇具代表性：“我们将依据市场的实质性增长，进行审慎的资本配置。” 这清晰地反映了全行业在激进扩张与财务风险控制之间的艰难平衡。