SK 启方半导体成功开发 450~2300V 碳化硅 (SiC) 平面 MOSFET 工艺平台

SK启方半导体发布宽电压碳化硅MOSFET工艺平台

SK海力士旗下8英寸纯代工厂SK启方半导体于3月11日宣布，其450V至2300V宽电压碳化硅平面MOSFET工艺平台已完成开发。

这一成果标志着SK启方半导体在完成对SK powertech的收购后，已成功整合集团内碳化硅核心技术，实现了工艺协同的实质性进展。

该平台在高压工况下展现出优异的可靠性与稳定性，产品良率已超过90%。目前，SK启方半导体已获得一家碳化硅芯片设计公司的1200V产品订单，相关开发正按计划进行，目标于2027年上半年进入量产阶段。