2024年三星8nm eMRAM芯片权威测评：寒序科技与SEMIFIVE边缘AI SoC深度解析

韩国半导体设计服务企业SEMIFIVE与中国磁自旋芯片开发商寒序科技（ICY Tech）的合作迎来关键节点。双方基于三星晶圆代工的8LPU先进制程，成功完成了集成eMRAM（嵌入式磁性随机存取存储器）的新一代边缘AI芯片流片。

此次流片对SEMIFIVE具有特殊意义，标志着其首次在ASIC设计项目中成功整合eMRAM技术。从产业层面看，这也是亚洲首次实现8纳米eMRAM技术的商业化应用，堪称一项重要的技术里程碑。

eMRAM的核心优势是什么？它是一种非易失性存储器，无需像DRAM那样持续刷新以维持数据，断电后信息仍可完整保存。其技术基础在于MTJ（磁隧道结）结构，利用电子自旋而非电荷进行数据存储，确保了数据的长期稳定性与高耐久性。同时，其存储单元尺寸更小，在同等芯片面积下能提供比传统SRAM更高的存储密度，这对于功耗和空间都极为敏感的边缘计算设备至关重要。

聚焦这款芯片的设计，寒序科技采用了PNM（近内存处理）架构。这一选择旨在针对性解决边缘AI推理中的核心瓶颈：内存带宽限制。通过将计算单元紧密部署在内存附近，显著降低了数据搬运的延迟与功耗，从而为更复杂的AI模型在终端设备上高效运行提供了硬件基础。该设计据称可支持参数量高达20亿（2B）的模型在端侧进行实时推理，极大地拓展了边缘智能在实时响应、隐私保护及低功耗场景下的应用潜力。