SK海力士联手英特尔EMIB技术：2024年HBM封装新方案权威测评与前景分析

《科创板日报》5月11日讯 据ZDNet消息，半导体产业格局出现新变量：存储龙头SK海力士正与英特尔就2.5D封装技术展开合作评估。

据悉，SK海力士正在测试采用英特尔开发的“嵌入式多芯片互连桥（EMIB）”技术方案。当前测试重点在于将SK海力士的高带宽内存（HBM）及系统半导体与英特尔的EMIB基板进行集成验证。为推进最终量产，该公司正同步筛选匹配的材料与组件供应商。

在先进封装领域，台积电的CoWoS技术长期掌握市场主导权。SK海力士本身亦是台积电的紧密合作伙伴，双方在HBM与2.5D封装上存在联合研发关系。然而，AI产业的爆发性需求导致CoWoS产能持续紧张，这为EMIB等替代技术创造了市场切入机会。

英特尔EMIB技术的核心优势在于其功耗表现、封装成本控制及对大尺寸异构集成的扩展能力。国金证券将其形容为“AI大算力时代的横向高速公路”，其技术本质是通过嵌入式硅桥实现芯粒（Chiplet）间的高带宽互连，规避了传统硅中介层带来的面积与成本压力。

技术成熟度进展迅速。分析师郭明錤指出，英特尔EMIB封装的后段制程良率已突破90%。需注意的是，该良率以FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）为基准进行衡量，而行业FCBGA良率普遍高于98%，这意味着EMIB在量产稳定性上仍需持续优化。

基于上述潜力，多家科技巨头已将EMIB视为CoWoS的可行替代方案。市场信息显示，英特尔正与至少两家主要客户就其先进封装服务进行深度谈判，谷歌与Meta被认为是潜在的设计采用方。

英特尔首席财务官戴夫·津斯纳的发言佐证了这一趋势。他表示，英特尔代工业务“接近完成”多项先进封装交易，单笔年收入规模均有望达到数十亿美元量级。技术演进同步推进，集成硅通孔的EMIB-T架构预计将于年内进入量产阶段。

行业共识认为，后摩尔时代下，先进封装产能短缺正加速技术路线分化。全球AI算力需求呈指数级攀升，即便台积电积极扩充CoWoS产能，仍难以完全覆盖市场的交付缺口。

上海证券分析进一步指出，AI催生的超大型封装需求，正推动部分专用集成电路（ASIC）设计从CoWoS转向EMIB。除CoWoS产能被英伟达GPU大量占据、其他客户获取份额困难外，封装尺寸限制及“美国制造”的供应链需求，也促使谷歌、Meta等北美云服务商积极评估英特尔的EMIB解决方案。

一场围绕先进封装技术路径的产业竞争，已进入关键窗口期。