多层单晶硅电路垂直集成新工艺：2024年业界最新突破榜单

芯片性能提升遭遇物理天花板，晶体管微缩逼近原子尺度，摩尔定律的延续路径正受到严峻拷问。最新一期《自然》杂志刊发了一篇硬核研究，给出了突破方向。美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校团队在三维芯片集成领域攻克关键工艺难关——他们开发出一种新型制造流程，能在严格热预算约束下，实现多层高性能单晶硅电路的垂直堆叠。简单说，传统多层堆叠中热量累积是死结，现在他们找到了工程解法。这项成果跳出了平面微缩的老路，为摩尔定律续命提供了可落地的技术路线。研究细节已发表于《自然》，值得深挖。