长鑫科创板第二大IPO成功过会

2026-05-29阅读 0热度 0
科创板

长鑫科技刚刚完成了科创板创立以来含金量最高的一次IPO闯关。作为科创板首单“密交”(预先审阅)项目,经两轮快速问询后,这家DRAM巨头于5月27日上市审核委员会审议中顺利过会。紧随中芯国际之后,它大概率将成为科创板历史上规模第二大的IPO,悬念基本解消。

核心看点

长鑫科技是目前中国大陆唯一实现DRAM大规模量产的企业。全球市占率7.67%,位列第四,打破了三星、SK海力士、美光三强长期垄断的格局,也填补了国产存储芯片制造的空白。

作为科创板首单“预先审阅”IPO,预审阶段不公开核心技术、产能、客户等敏感信息,受理后即披露两轮问询,审核周期大幅压缩。

财务数据堪称炸裂:2025年营收618亿元,归母净利润18.75亿元。到2026年第一季度,业绩进一步加速——营收508亿元,净利润330亿元,折合每天净赚超4亿元,已跻身A股最赚钱的科技公司行列。

本次拟募资295亿元,仅次于中芯国际当年的532亿元,是科创板历史上第二大、今年全A股规模最大的IPO。同时,它将诞生A股史上最大规模的员工激励方案——创始人朱一明让渡7.68亿股,价值超200亿元,用于激励团队。不增发、不稀释股东权益,承诺上市后10年不减持,深度绑定长期发展,诚意十足。

主营业务与产品

长鑫科技专注DRAM存储芯片的研发、设计和制造,采用典型的IDM模式——从芯片设计到晶圆制造,全链条自主掌控。

公司旗下三座12英寸DRAM晶圆厂,分别位于合肥和北京。按产能、出货量和销售额统计,目前已是国内第一、全球第四的DRAM厂商。

(这是长鑫科技北京晶圆厂的照片,今天下午开车路过,很应景。)

核心产品包括DDR4/DDR5标准内存芯片,以及LPDDR4X/LPDDR5/LPDDR5X低功耗移动内存。应用覆盖智能手机、PC、服务器、AI算力和智能汽车等领域。公司2016年成立于安徽合肥,是合肥市"芯屏汽合"战略的旗舰项目。

主要财务数据

报告期内(2023-2025年),长鑫科技营收从90.87亿元飙升至241.78亿元,再到617.99亿元。两年复合增长率高达160.78%,增长曲线如同坐上火箭。

归母净利润方面:2023年亏损163.40亿元,2024年亏损收窄至71.45亿元,2025年正式扭亏为盈,实现18.75亿元——盈利拐点已确立。

2025年毛利率41.02%,研发投入占比15.52%(95.93亿元)。盈利能力和研发力度在国产芯片企业中均属顶级水平。

公司同时给出2026年上半年业绩预告:营收1,100-1,200亿元,归母净利润520-580亿元,利润有望实现近2000%的爆发式增长。

募资额、预计市值与募投方向

本次拟公开发行不超过10.62亿股(占发行后总股本不低于10%),计划募资净额295亿元,对应发行后预计市值约2,950亿元。这个体量有望超越中芯国际,成为科创板史上规模最大的IPO之一。

募投资金将投向三大方向:

晶圆制造技改项目(75亿元,占比25.4%)——用于现有产线升级扩产;DRAM芯片技术升级项目(130亿元,占比44.1%)——聚焦先进制程和新产品研发;前瞻技术研发项目(90亿元,占比30.5%)——布局下一代存储技术。三个项目紧扣“产能扩张+技术追赶”双主线。

行业地位与亮点

长鑫科技是中国大陆唯一具备大规模DRAM量产能力的企业。2025年第四季度,全球DRAM市占率7.67%,仅次于三星(39.4%)、SK海力士(33.0%)和美光(22.9%),稳居全球第四。

更关键的是,在美光被中国网络安全审查后,长鑫科技抓住了国产替代的历史窗口期。2024-2025年,产能利用率持续维持在95%以上,产品供不应求。作为国产存储芯片的“独苗”,它承载着国家半导体自主可控的战略使命——真正意义上的“全村的希望”。

核心技术、难点与壁垒

DRAM制造被称为半导体领域“最难啃的骨头”之一。长鑫科技已掌握1x/1y/1znm三代DRAM工艺节点,正在攻关1α/1βnm先进制程,产品覆盖DDR4到LPDDR5X完整序列。

核心技术的壁垒极高:深沟槽电容(Deep Trench)工艺决定存储单元稳定性,多重曝光技术解决纳米级图形化难题,先进封装(TSV/混合键合)则支撑着高带宽内存(HBM)的演进方向。

截至2025年末,公司累计拥有专利6,972项(国内发明专利3,165项,海外专利3,043项),专利规模在国产芯片企业中名列前茅。

DRAM行业的壁垒,本质上是时间壁垒和资金壁垒。三星和SK海力士用了三十年积累的know-how,长鑫科技正以惊人的速度追赶。

收入构成

收入结构高度集中于DRAM芯片产品。LPDDR系列(低功耗内存)贡献营收410.56亿元,占比66.43%,是绝对的收入主力——受益于智能手机和AI终端的强劲需求;DDR系列(标准内存)贡献197.09亿元,占比31.87%,主要面向PC和服务器市场。

上游零部件分析

DRAM制造的上游主要包括化学品、光刻胶、硅片、气体、靶材、备件等。供应链高度全球化,受制于人的环节不少。

长鑫科技2025年前五大原材料采购中,化学品(37.29%)和备品备件(34.69%)占了大头,光刻胶(12.16%)、硅片(8.55%)、气体(5.10%)、靶材(2.21%)紧随其后。

其中最值得关注的是光刻胶——全球高端KrF/ArF光刻胶市场被JSR、信越化学等日企垄断,国产化率极低,是典型的“卡脖子”环节。硅片方面,信越化学和SUMCO同样占据主要份额。供应链风险主要集中在光刻胶和高端设备领域,但公司正在积极推动核心原材料的国产替代进程。

市场分析

全球DRAM市场规模2025年约1505亿美元,预计到2030年将增长至5710亿美元,年复合增长率高达30.56%——这是半导体行业中增速最快的赛道之一。

核心驱动力来自三个方面:AI大模型训练和推理对HBM和高带宽内存的爆发式需求、智能手机换机周期带来的移动内存升级、以及智能汽车ADAS系统对车规级存储的持续增量。

竞争格局上,三星、SK海力士和美光三家合计市占率超95%,长鑫科技(7.67%)是唯一的独立第四极。可比上市公司包括美光(美股)、兆易创新(A股Nor Flash龙头),但真正对标的是三星半导体和SK海力士——这也是长鑫科技的长期目标。

上市意义

长鑫科技的IPO,标志着国产存储芯片第一股正式登陆资本市场。其意义远超一家公司的融资行为。

从产业角度看,DRAM是全球半导体市场规模最大的单一品类(超1500亿美元),而中国大陆此前在该领域几乎“颗粒无收”——长鑫科技是唯一的破局者。本次募资295亿元,将大幅加速产能扩张和技术追赶,有助于将国产DRAM市占率从目前的个位数提升至两位数。

对资本市场而言,长鑫科技有望成为科创板的新“锚”,为整个国产半导体设备、材料、设计产业链提供估值参照。在国家“芯片自主可控”的战略大背景下,长鑫科技的上市恰逢其时。

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