ASML最强光刻机发货在即，2nm芯片量产进入倒计时｜行业权威解析

ASML首席执行官傅恪礼近期确认，首批基于新一代高数值孔径极紫外光刻机的芯片将于未来数月内交付。这批涵盖逻辑与存储两大品类的芯片，标志着半导体制造业已正式迈入2纳米及更先进制程的制造周期。

傅恪礼强调，High-NA EUV光刻机是定义下一代芯片图形化的基石。其核心价值不仅在于实现更高的图案分辨率，更在于通过优化单次曝光工艺，从本质上降低尖端逻辑与高带宽内存芯片的总体制造成本与工艺复杂性。

这项前沿技术的初始投资门槛极高。傅恪礼指出，设备的前期成本需要通过后续的技术成熟与大规模量产来摊薄。这实质上是一项战略性的产能投资，其回报取决于未来的规模化制造效率。

主要客户对成本的考量已形成对比。台积电此前估算，单台High-NA EUV光刻机的成本接近4亿美元，约为现有EUV设备的两倍。基于当前的投入产出评估，台积电对大规模部署持审慎态度。

然而，英特尔已展现出截然不同的技术路线。其在俄勒冈州工厂已部署两台High-NA EUV设备，并累计完成了超过三万片晶圆的工艺验证，旨在为2027-2028年实现“14A”制程的量产奠定坚实基础。

存储领域同样在快速跟进。SK海力士已明确规划，计划于年内引入High-NA EUV技术，用于其下一代DRAM产品的研发与生产。这预示着头部厂商均在加速布局，以抢占下一代存储技术的制高点。

High-NA EUV的技术突破在于其光学系统。通过将数值孔径从0.33提升至0.55，它实现了分辨率的革命性提升，能够印制出特征尺寸缩小约66%的微观结构。这项进步是持续推动摩尔定律、突破物理极限的关键赋能技术。